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NCEP85T25T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs

NCEP85T25T 型号参数

NCEP85T25T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子榨汁机、电子罗盘、电动自行车控制器、电动车、 MP3播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能照明系统、电子胎心监测仪、 MP3播放器、机器人、电动自行车、电源供应器、电子血压计袖带、吸尘器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L

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