NCE0115K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE0115K 型号参数

NCE0115K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、 RFID读写器、音响设备、汽车、电子湿度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LCD显示屏、摄像机、摄像头、电子搅拌器、电子琴、扫描仪、专用集成电路（ASIC）、电磁炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W

型号相关

热门型号