NCE60P12K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE60P12K 型号参数

NCE60P12K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、 B超机、红外感应器、虚拟现实头盔、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子白板、手机、烟雾报警器、指纹识别器、遥控器、电子翻译器、无线网卡、热水器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W

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