NCE60P50K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE60P50K 型号参数

NCE60P50K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子脱毛器、音频功率放大器、汽车电子控制系统、扫描仪、电子空气净化器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、 3D打印机、电子血压计袖带、智能手环、固态硬盘、遥控器、热水器、机器人等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCEP072N10	MOS管 N-channel Id=90A VDS=100V TO220
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W

型号相关

热门型号