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NCE0130KA_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE0130KA 型号参数

NCE0130KA是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子净水器、电子美容仪、手机、笔记本电脑、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

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