NCE55P04S_NCE_无锡新功率_SOIC8_150MIL_MOSFETs

NCE55P04S 型号参数

NCE55P04S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子助听器、遥控器、空调、 MRI扫描仪、冰箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、电子血压计、电子净水器、音频功率放大器、电子除螨仪、血糖仪、万用表、蓝牙音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0208KA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCE3401AY	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L

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