NCE0103M_NCE_无锡新功率_SOT89-3_MOSFETs

NCE0103M 型号参数

NCE0103M是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如不间断电源（UPS）、稳压电源、电子门锁、智能音箱、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCE65TF099T	MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE3050K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL

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