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SQ2309ES-T1_GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SQ2309ES-T1_GE3 型号参数

SQ2309ES-T1_GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如笔记本电脑、手机、专用集成电路（ASIC）、音频线材、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压计袖带、液晶显示器、电子厨房计时器、电子气压计、音频线材、饮水机、电子加湿器、心电图仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3

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