SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2365EDS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2365EDS-T1-GE3 型号参数

SI2365EDS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如现场可编程门阵列（FPGA）、烤箱、智能照明系统、音频线材、平板电脑，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2365EDS-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如调音台、电子美容仪、电子驱蚊器、电子游戏机手柄、电路板、专用集成电路（ASIC）、数字信号处理器（DSP）、烟雾报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
SI2319DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFR320TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI2347DS-T1-GE3	MOSFETs 30V 3.9A 68mΩ P Channel SOT23
SI2319CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=4.4A RDS(ON)=77mΩ@10V SOT23-3
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
IRFD9120PBF	通孔 P 通道 100 V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-HVMDIP
SI4800BDY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SOIC

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