2N7002E-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

2N7002E-T1-GE3 型号参数

2N7002E-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如复印机、调制解调器、 3D打印机、音响系统、心电图仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逻辑分析仪、显示器、智能家居控制器、电动自行车、电子广告牌、电子签到系统、电子搅拌器、万用表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7148DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=11mΩ@10V PowerPAK® SO-8
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
SI7884BDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK® SO-8
SIZ342DT-T1-GE3	MOSFETDLN-CH30VPOWERPAIR3X3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI7615ADN-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=20V ID=35A PowerPAK1212-8
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3

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