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SI2325DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2325DS-T1-GE3 型号参数

SI2325DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、调制解调器、虚拟现实头盔、逆变器、 LED照明灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、触摸屏、 RFID读写器、安防监控系统、电子门锁、安防摄像头、专用集成电路（ASIC）、电子手表等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI4178DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC
SI2319DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFP450APBF	MOSFETs TO247 N-Channel VDDS=500V ID=14A
SI2337DS-T1-E3	MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
IRFU320PBF	通孔 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL

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