SI2325DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2325DS-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

SI2325DS-T1-GE3 型号参数

SI2325DS-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频信号处理器、 LED显示器、台式电脑主机、汽车电子控制系统、电子词典，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2325DS-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3

应用场景

MOSFETs可应用场景，如门禁系统、固态硬盘、电子血压手环、触摸屏、可编程逻辑控制器（PLC）、稳压电源、智能照明系统、实验室离心机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SI2312BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI7121DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=16A RDS(ON)=15mΩ@10V
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SI4134DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC

型号相关

热门型号