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SIHG30N60E-GE3_Vishay_威世_TO247AC-3_MOSFETs

SIHG30N60E-GE3 型号参数

SIHG30N60E-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电子签到系统、内存条、电饭煲、电子门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如游戏机、电子搅拌器、内存条、数字信号处理器（DSP）、电动工具、智能手表、调音台、电子灭蚊灯等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF9630PBF	通孔 P 通道 200 V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
IRF9640STRLPBF	表面贴装型 P 通道 200 V 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
IRFR320TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
SI2309CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V

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