NCEP01T18_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP01T18 型号参数

NCEP01T18是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如万用表、 RFID读写器、电子体重秤、指纹识别器、交流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如吸尘器、虚拟现实头盔、 B超机、 CT扫描仪、显示器、频谱分析仪、触摸屏、 LCD显示屏等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W

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