2N7002K_NCE_无锡新功率_SOT-23_MOSFETs

2N7002K 型号参数

2N7002K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子琴、电子罗盘、电动车、功放设备、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子签到系统、电子罗盘、摄像机、电子胎心监测仪、电子厨房计时器、交换机、 X光机、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3

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