NCE40H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCE40H12 型号参数

NCE40H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、电子翻译器、指纹识别器、电子书阅读器、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、电路板、逻辑分析仪、平板电脑、现场可编程门阵列（FPGA）、机器人、电子琴、烤箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE9926	2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL

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