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NCE6045XG_NCE_无锡新功率_DFN8_6X5MM_MOSFETs

NCE6045XG 型号参数

NCE6045XG是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、智能手表、 B超机、固态硬盘、电子温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子琴、数字信号处理器（DSP）、移动硬盘、手机、电子除螨仪、实验室离心机、电子除湿机、电子秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE2301	场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W

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