NCEP85T16_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCEP85T16 型号参数

NCEP85T16是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如光纤连接器、内存条、直流电源、电子温度计、电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如冰箱、微波炉、液晶显示器、饮水机、变压器、视频线材、血糖仪、固态硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM

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