NCE6012AS_NCE_无锡新功率_SOP8_150MIL_MOSFETs

NCE6012AS 型号参数

NCE6012AS是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、电子签到系统、电子灭蚊灯、门禁系统、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电磁炉、电子血压手环、智能家居控制器、机器人、吸尘器、微处理器、电子厨房计时器、路由器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE0115K	MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3

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