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NCE6080K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE6080K 型号参数

NCE6080K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能音箱、电子净水器、电子门禁卡、汽车电子控制系统、指纹识别器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 3D打印机、电子门禁卡、音频信号处理器、频谱分析仪、虚拟现实头盔、录像机、空调、 MRI扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE6045G	MOS管 N-channel Id=45A VDS=60V DFN8_5X6MM_EP
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP

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