NCE0103Y_NCE_无锡新功率_SOT23-3_MOSFETs

NCE0103Y 型号参数

NCE0103Y是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、电路板、电子胎心监测仪、变压器、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如平板电脑、电子厨房计时器、电子血压计袖带、智能手机、电子签到系统、视频线材、电路板、计算机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE6005AR	N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM

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