NCE60ND18G_NCE_无锡新功率_DFN8_4.9X5.75MM_EP_MOSFETs

NCE60ND18G 型号参数

NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、笔记本电脑、音响设备、摩托车、复印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如万用表、电动车充电器、冰箱、显卡、电子体温计探头、电子除湿机、 GPS定位器、电子翻译器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8

型号相关

热门型号