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NCE60ND18G_NCE_无锡新功率_DFN8_4.9X5.75MM_EP_MOSFETs

NCE60ND18G 型号参数

NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车、 RFID读写器、电子烤箱温度计、投影仪、不间断电源（UPS），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、智能手表、微处理器、电子罗盘、 OLED显示屏、电子血压计、心电图仪、安防摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6020AI	N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L

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