NCEP40T11G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子加湿器、 电子词典、 指纹识别器、 智能手机、 电子体温计探头 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP40T11G
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 数码相机、 电子咖啡机、 门禁系统、 智能手环、 电子血压计、 电视机、 电动车充电器、 电子脱毛器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
| NCE6020AI | N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE8295AD | MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
