NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如变压器、数字信号处理器（DSP）、 LED照明灯、电子门禁卡、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子湿度计、电子游戏机手柄、电子按摩器、洗衣机、蓝牙耳机、烟雾报警器、智能插座、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

型号相关

热门型号