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NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、音响设备、台式电脑主机、虚拟现实头盔、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微波炉、电子秤、整流器、变压器、音频功率放大器、人脸识别设备、 MRI扫描仪、摄像头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE40P05S	MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W

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