NCE2302是品牌NCE无锡新功率,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 智能门锁、 MP3播放器、 机器人、 智能安防摄像头、 路由器 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:NCE2302
- 品牌:无锡新功率(NCE)
- 分类:MOSFETs
- 参数:N沟道增强型功率MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 智能照明系统、 智能安防摄像头、 手机、 音响设备、 电子体温计探头、 不间断电源(UPS)、 单片机、 频谱分析仪 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE6045XG | |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCEP035N85GU | NCEP035N85GU |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):200W |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 功率(Pd):32.6W |