NCE2030_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

NCE2030 型号参数

NCE2030是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如计算机、人脸识别设备、功放设备、 GPS定位器、智能家居控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子白板、调音台、智能手机、音响系统、电子厨房计时器、 LED显示器、 MP3播放器、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCEP4045GU	NCEP4045GU
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W

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