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NCEP039N10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

NCEP039N10D 型号参数

NCEP039N10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如空调、电子阅读器、无人机、交流电源、电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、交换机、电子秤、电子阅读器、汽车电子控制系统、电子空气净化器、射频连接器、调音台等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCEP60T20	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W

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