NCE0224K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE0224K 型号参数

NCE0224K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子净水器、电子计算器、台式电脑主机、电子血压计袖带、稳压电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子广告牌、摄像机、烟雾报警器、平板电脑、智能手机、液晶显示器、电子按摩器、不间断电源（UPS）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6045XG
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE40P05Y	P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W

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