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NCE01P13K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE01P13K 型号参数

NCE01P13K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、安防监控系统、摄像机、智能安防摄像头、电子加湿器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如安防摄像头、音响系统、电动工具、电子温度计、电子计算器、人脸识别设备、电子湿度计、汽车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE82H140D	N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W

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