NCE01P13K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE01P13K 型号参数

NCE01P13K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子空气净化器、电动车、笔记本电脑、逻辑分析仪、冰箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE3080KA	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0205IA	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE60H10K	MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W

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