MDD2305_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD2305_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD2305 型号参数

MDD2305是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、智能家居控制器、 3D打印机、电子榨汁机、整流器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MDD2305
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

应用场景

MOSFETs可应用场景，如摄像头、智能家居控制系统、饮水机、变压器、网卡、信号发生器、红外感应器、电子美容仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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