MDD10N65F_MDD_辰达半导体_TO220F-3L_MOSFETs

MDD10N65F_MDD_辰达半导体_TO220F-3L_MOSFETs

MDD10N65F 型号参数

MDD10N65F是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计袖带、专用集成电路（ASIC）、功放器、饮水机、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MDD10N65F
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路

应用场景

MOSFETs可应用场景，如安防监控系统、 LED照明灯、内存条、可编程逻辑控制器（PLC）、路由器、电子驱蚊器、话筒（麦克风）、智能手环等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302

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