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SI2305_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

SI2305 型号参数

SI2305是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如集成电路板、 LED显示器、网卡、音频线材、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2305
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如机器人、调音台、智能音箱、电子游戏机手柄、电子灭蚊灯、耳机、摄像头、射频连接器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW

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