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MDD3400_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD3400 型号参数

MDD3400是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如视频线材、专用集成电路（ASIC）、网络适配器、耳机、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：MDD3400
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子厨房计时器、扫地机器人、扫描仪、电磁炉、交流电源、人脸识别设备、调制解调器、功放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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