SI2302_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

SI2302_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

SI2302 型号参数

SI2302是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如模拟信号处理器（ASP）、电子游戏机手柄、红外感应器、交流电源、智能音箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SI2302
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302

应用场景

MOSFETs可应用场景，如显卡、微波炉、液晶显示器、电子体重秤、电子计算器、电子秤、电子净水器、录像机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
SI2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302

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