2N7002_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

2N7002_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

2N7002 型号参数

2N7002是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、门禁系统、智能安防摄像头、电子温度计、电子词典，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：2N7002
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW

应用场景

MOSFETs可应用场景，如光纤连接器、计算机、录像机、智能家居控制器、电子血压计、示波器、集成电路板、电子加湿器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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