LBSS139WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

LBSS139WT1G 型号参数

LBSS139WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙音箱、调制解调器、指纹识别器、台式电脑主机、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如烟雾报警器、遥控器、调制解调器、电子搅拌器、汽车、音频信号处理器、热水器、集成电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW

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