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LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LN2306LT1G 型号参数

LN2306LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、投影仪、音频信号处理器、门禁系统、电子烤箱温度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车控制器、电子体温计探头、 B超机、电子游戏机手柄、 USB闪存盘、信号发生器、整流器、网卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET

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