LN2502LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LN2502LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LN2502LT1G 型号参数

LN2502LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机、虚拟现实头盔、电子除湿机、微波炉、电子血压手环，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：LN2502LT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能手环、话筒（麦克风）、专用集成电路（ASIC）、微处理器、示波器、电子门锁、门禁系统、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A

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