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L2N7002LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2N7002LT1G 型号参数

L2N7002LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、空调、 MRI扫描仪、信号发生器、音频信号处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如调制解调器、智能手机、电子签到系统、空调、 GPS定位器、 B超机、交流电源、气体报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW

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