LP2301LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

LP2301LT1G 型号参数

LP2301LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如笔记本电脑、电子罗盘、人脸识别设备、功放设备、电子助听器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如录像机、电子美容仪、洗衣机、 B超机、机械硬盘、触摸屏、吉他效果器、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM

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