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L2N7002WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

L2N7002WT1G 型号参数

L2N7002WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、电子脱毛器、电子厨房计时器、电动自行车、台式电脑主机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扬声器、电子净水器、 LCD显示屏、电子气压计、微波炉、 MP3播放器、投影仪、电子体温计探头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70

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