2SK3878_Toshiba_东芝_SC65_MOSFETs

2SK3878_Toshiba_东芝_SC65_MOSFETs

2SK3878 型号参数

2SK3878是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交流电源、电子书阅读器、 DVD播放器、电子胎心监测仪、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：2SK3878
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65

应用场景

MOSFETs可应用场景，如摄像头、空调、电子血压计袖带、扬声器、固态硬盘、电动工具、 X光机、门禁系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS

型号相关

热门型号