热门型号

SSM3J338R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3J338R,LF 型号参数

SSM3J338R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、智能手机、电子签到系统、频谱分析仪、音频信号处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3J338R,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如集成电路板、万用表、现场可编程门阵列（FPGA）、固态硬盘、电子罗盘、直流电源、电子门禁卡、电动工具等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
2SK3476(TE12L,Q	MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
TPH2R608NH,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers

相关资料