SSM3J338R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3J338R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3J338R,LF 型号参数

SSM3J338R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 X光机、 MP4播放器、现场可编程门阵列（FPGA）、汽车电子控制系统、功放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM3J338R,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子广告牌、计算机、智能音箱、电子烤箱温度计、气体报警器、虚拟现实头盔、电子书阅读器、电子按摩器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F

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