TPH2R608NH_L1Q_Toshiba_东芝_PowerVDFN8_MOSFETs

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TPH2R608NH,L1Q 型号参数

TPH2R608NH,L1Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、功放器、音响设备、直流电源、智能家居控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：TPH2R608NH,L1Q
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=2.6mΩ@10V SOP Advance8

应用场景

MOSFETs可应用场景，如打印机、 LED照明灯、微处理器、网卡、电子词典、交换机、摄像头、智能家居控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

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