SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs

SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs

SSM6N35FE,LM 型号参数

SSM6N35FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如内存条、手机、电子体重秤、电子按摩器、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM6N35FE,LM
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

应用场景

MOSFETs可应用场景，如人脸识别设备、 3D打印机、声卡、智能门锁、逻辑分析仪、遥控器、电动自行车、机械硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP

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