SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs

SSM6N35FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666-6_MOSFETs

SSM6N35FE,LM 型号参数

SSM6N35FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交换机、音响系统、电子湿度计、电子加湿器、电子胎心监测仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：SSM6N35FE,LM
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications

应用场景

MOSFETs可应用场景，如频谱分析仪、话筒（麦克风）、摄像头、饮水机、门禁系统、摄像机、游戏机、示波器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J328R,LF(T	表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K37FS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F

型号相关

热门型号