UTT10NP06G-S08-R_UTC_友顺_SOP-8_MOSFETs

UTT10NP06G-S08-R 型号参数

UTT10NP06G-S08-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子词典、电子血压计、 RFID读写器、智能照明系统、调音台，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如打印机、智能手机、 MP4播放器、烤箱、触摸屏、复印机、电子空气净化器、电子翻译器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
UT9435HG-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252

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