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UTT10NP06G-S08-R_UTC_友顺_SOP-8_MOSFETs

UTT10NP06G-S08-R 型号参数

UTT10NP06G-S08-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、吸尘器、电子驱蚊器、电动自行车控制器、冰箱，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、电子书阅读器、整流器、变压器、电子脱毛器、蓝牙耳机、音频功率放大器、 GPS定位器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UT3N06G-AE3-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8

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