热门型号

12P10L-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

12P10L-TN3-R 型号参数

12P10L-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、电子脱毛器、电子除螨仪、电动自行车、网络适配器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如虚拟现实头盔、电源供应器、电子搅拌器、微波炉、电子门锁、电子空气净化器、投影仪、电子按摩器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
UT3N06G-AE3-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W

相关资料