12P10L-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

12P10L-TN3-R 型号参数

12P10L-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、红外感应器、交流电源、模拟信号处理器（ASP）、 DVD播放器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LED照明灯、音频信号处理器、移动硬盘、 RFID读写器、电动自行车、显示器、智能安防摄像头、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
UT9435HG-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2.5W
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UT3N06G-AE3-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23

型号相关

热门型号