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UTM6016G-SO8-R_UTC_友顺_SOP8_150MIL_MOSFETs

UTM6016G-SO8-R 型号参数

UTM6016G-SO8-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子净水器、实验室离心机、模拟信号处理器（ASP）、汽车、指纹识别器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如烤箱、电子秤、电子计算器、摄像机、台式电脑主机、烟雾报警器、门禁系统、红外感应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W

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