UTM6016G-SO8-R_UTC_友顺_SOP8_150MIL_MOSFETs

UTM6016G-SO8-R 型号参数

UTM6016G-SO8-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子除螨仪、智能家居控制系统、 3D打印机、 GPS定位器、计算机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫地机器人、电子罗盘、智能手机、视频线材、 RFID读写器、电子除螨仪、电子烤箱温度计、逆变器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
15N10L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14.7A 功率(Pd)：37.4W
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
12N80L-TF2-T	N沟道漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W TO220F
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UT3N06G-AE3-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3A Pd=350mW SOT23
UF630G-TN3-R	200V，9A N沟道功率MOSFET TO252-2
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W

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