7NM65G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

7NM65G-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

7NM65G-TN3-R 型号参数

7NM65G-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响系统、遥控器、微处理器、数字信号处理器（DSP）、交换机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：7NM65G-TN3-R
品牌：友顺(UTC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子除湿机、人脸识别设备、电子白板、液晶显示器、数字信号处理器（DSP）、 MRI扫描仪、路由器、笔记本电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252

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