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2N7002G-AE2-R_UTC_友顺_SOT-23_MOSFETs

2N7002G-AE2-R 型号参数

2N7002G-AE2-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、数码相机、示波器、人脸识别设备、专用集成电路（ASIC），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如直流电源、安防摄像头、电子厨房计时器、智能手表、电子除螨仪、电子翻译器、电子美容仪、电子琴等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
UTD408L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=18mΩ@10V TO252
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UTM6016G-SO8-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=12mΩ@10V TO252
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
UT4421G-SO8-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：2W

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