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UF640L-TN3-R_UTC_友顺_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

UF640L-TN3-R 型号参数

UF640L-TN3-R是品牌UTC友顺，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、功放设备、血糖仪、 RFID读写器、触摸屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：UF640L-TN3-R
品牌：友顺(UTC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能手环、电视机、摩托车、电子按摩器、游戏机、智能家居控制系统、智能音箱、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

选型表

型号	参数
2N7002G-AE2-R	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA Pd=200mW SOT23
UT2305G-AE3-R	MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.2A Pd=830mW SOT23
7NM65G-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W
2N60L-TN3-R	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=2A RDS(ON)=5Ω@10V TO252
12P10L-TN3-R	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=9.4A RDS(ON)=290mΩ@10V TO252-2
1N60L-T92-K	N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W
UTT10NP06G-S08-R	MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
UF640L-TN3-R	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：83W
UT2955G-AA3-R	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1W
UT9564G-SO8-R	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±25V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOP8

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